DeepLight無銅硅晶圓

產(chǎn)品簡介

DeepLight無銅硅晶圓是面向集成光子的無銅硅晶圓深光提供100mm和150mm硅晶圓 ,專門設(shè)計用于防止銅擴散進入光子器件層。我們不是在后段工藝中補救吸收相關(guān)退化，而是在基底層面去除根因。

Name: DeepLight無銅硅晶圓
Brand: DEEPLIGHT
Price: 40 CNY
Availability: InStock

產(chǎn)品型號：

更新時間：2026-06-04

廠商性質(zhì)：代理商

訪問量：77

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產(chǎn)品分類Product Categories

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DeepLight無銅硅晶圓

1.產(chǎn)品特點：

第一款面向集成光子的無銅硅晶圓。

采用無銅硅晶圓構(gòu)建無吸收損耗的光子集成電路，面向超低損耗和可重復的晶圓級光子性能而設(shè)計。

銅污染--規(guī)模化光子器件的關(guān)鍵瓶頸。

2.核心優(yōu)勢：

在晶圓加工過程中，即使痕量銅也會擴散進入介質(zhì) PIC層。在低損耗光子集成電路中，這種污染會形成吸收中心，導致熱漂移并降低 Q 因子。

Deeplight的無銅硅晶圓從基底層面消除這一限制，可實現(xiàn)：

超低熱漂移與高度穩(wěn)定的諧振

超低光學損耗與持續(xù)穩(wěn)定的高 Q 因子

整片晶圓范圍內(nèi)器件性能保持一致

Si3N4微諧振腔中可預測、可重復的孤子形成

3.應(yīng)用領(lǐng)域：

適用于高性能微梳、下一代LiDAR、精密傳感平臺、通信系統(tǒng)和量子光子器件。

銅污染會在規(guī)模化制造中破壞低損耗集成光子電路的穩(wěn)定性。

隨著應(yīng)用從實驗室走向商業(yè)系統(tǒng)，這一污染問題可能成為器件性能的關(guān)鍵障礙。

4.技術(shù)規(guī)格

深光提供100mm和150mm硅晶圓 ,專門設(shè)計用于防止銅擴散進入光子器件層。我們不是在后段工藝中補救吸收相關(guān)退化，而是在基底層面去除根因。

由此形成更潔凈的材料平臺，在整片晶圓制造和封裝流程中保持光學純度。

無需修改您現(xiàn)有的光子芯片制造工藝，不影響代工廠兼容性。

尺寸（英寸）	4 / 6
熱氧化層厚度（ nm）	0 – 9000
最小訂購量（片）	10
硅晶圓厚度	300 – 500 µm

5.行業(yè)拓展

深光無銅晶圓可消除銅向光子層遷移的問題，去除光學吸收和熱漂移的重要來源。基于這種潔凈的基底平臺，Si3N4微諧振腔能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定、可重復的孤子形成；即使在約40GHz的低重復頻率、熱敏感性很高的條件下也能保持穩(wěn)定。

這使得無需復雜調(diào)諧方案即可實現(xiàn)確定性的 DKS生成，為下一代相干傳感、精密定時和通信系統(tǒng)提供可靠的微梳運行基礎(chǔ)。

DeepLight無銅硅晶圓

圖 2：銅污染對孤子臺階長度的影響（左）；基于無銅硅晶圓制備的 100 GHz FSR Si3N4 微諧振腔單孤子光譜（右）。

DeepLight無銅硅晶圓

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DeepLight無銅硅晶圓是面向集成光子的無銅硅晶圓深光提供100mm和150mm硅晶圓 ,專門設(shè)計用于防止銅擴散進入光子器件層。我們不是在后段工藝中補救吸收相關(guān)退化，而是在基底層面去除根因。

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