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比利時(shí)umicore高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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umicore高純鍺晶體 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
代理商
2025-08-11
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比利時(shí)umicore13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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比利時(shí)優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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8inch英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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8英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體(100)方向延伸。圓柱形表面(表面光潔度小于2.5 μm RMS)。經(jīng)紅外成像法檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定可靠。晶體幾個(gè)結(jié)構(gòu)由直徑和長度決定。
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2025-08-11
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